电子行业周报：半导体高能氢离子注入技术突破 存储模组价格承压

　　投资要点：　　电子板块观点：我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，又一“卡脖子”环节得到解决，打破半导体离子注入设备和工艺的国外垄断；目前存储模组库存水位较高，叠加消费电子需求复苏不及预期，价格或将有所承压，进一步影响模组厂毛利率水平；当前电子行业供需处底部平衡回暖阶段，行业估值处于历史低位，建议关注AIOT、AI驱动、设备材料、消费电子周期筑底板块四大投资主线。　　我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，又一“卡脖子”环节得到解决，打破国外垄断。近日，国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心暨国家电力投资集团公司下属核力创芯（无锡）科技有限公司完成了首批高能氢离子注入芯片产品交付，产品性能指标比肩国际先进水平，表明我国全面掌握功率芯片高能氢离子注入技术，解决了我国功率芯片产业链关键“卡脖子”的一环。目前国内首条功率芯片高能氢离子注入生产线已建成投运，实现100％技术自主和装备零部件国产化，并完成首批800片芯片交付，且首批交付的芯片经历了累计近1万小时的工艺和可靠性测试验证。功率芯片广泛应用于军工、新能源、航空航天、轨道交通、特高压输变电等领域，是电力电子设备的核心，而离子注入作为和光刻、刻蚀共称芯片制造三大关键环节之一的技术，对于提高电力电子设备性能、效率和可靠性至关重要，氢离子注入更是实现离子注入的高精尖技术。先前，我国氢离子注入核心技术及装备缺失，国产功率芯片可靠性难以突破，制约我国功率芯片产业高端化发展。国家原子能机构充分发挥核技术优势，瞄准功率芯片氢离子注入关键技术，依托加速器、材料辐照等核领域技术优势，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。　　目前存储模组库存水位较高，叠加消费电子需求复苏不及预期，价格或将有所承压。存储器模组厂从2023年第三季度后开始积极增加DRAM库存，到2024年第二季度库存水位已上升至11-17周。然而终端消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，因此以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季度价格环比下跌超过30%。根据TrendForce，2024年第二季度模组厂在消费类NAND Flash零售渠道的出货量大幅年减40%，反映出全球消费性存储器市场正面临挑战。今年上半年存储器产业出货下滑超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温，终端产品价格难以提高，导致模组厂利润进一步被压缩，影响其毛利率水平。展望第四季度，目前还未明确观察到AI手机或AIPC新应用能够有效带起全面换机潮，因此DRAM价格或将继续承压。2025年，如果消费性需求持续疲软，存储价格上涨的幅度也将低于预期。　　电子行业本周跑输大盘。本周沪深300指数上涨1.32%，申万电子指数下降0.17%，行业整体跑输沪深300指数1.49个百分点， 涨跌幅在申万一级行业中排第27位，PE(TTM)38.59倍。截止9月20日，申万电子二级子板块涨跌：半导体(-0.53%)、电子元器件(-2.41%)、光学光电子(+1.28%)、消费电子(+0.37%)、电子化学品(+0.92%)、其他电子(+1.01%)。　　投资建议：行业需求在缓慢回暖，价格逐步恢复到正常水平；海外压力下国产化力度依然在不断加大，行业估值历史分位较低，逢低可缓慢布局。建议关注：（1）受益海外需求强劲AIOT领域的乐鑫科技、恒玄科技、瑞芯微、晶晨股份。（2）AI创新驱动板块，算力芯片关注寒武纪、海光信息、龙芯中科，光器件关注源杰科技、长光华芯、中际旭创、新易盛、光迅科技、天孚通信。（3）上游供应链国产替代预期的半导体设备、零组件、材料产业，关注中船特气、华特气体、安集科技、鼎龙股份、晶瑞电材、北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、富创精密、新莱应材。（4）消费电子周期有望筑底反弹的板块。关注CIS的韦尔股份、思特威、格科微，射频的卓胜微、唯捷创芯，存储的兆易创新、东芯股份、江波龙、佰维存储，模拟芯片的圣邦股份、艾为电子、思瑞浦，功率板块的新洁能、扬杰科技。　　风险提示：（1）下游需求复苏不及预期风险；（2）地缘政治风险；（3）研发进展不及预期风险。 【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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